Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFZ24N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFZ24N

• Tipo: Tipo-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 70 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 17 A
• Carga Total da Gate: 20 nC
• Dissipação de energia: 45 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

Datasheet completo: IRFZ24N

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFZ24N

O transistor IRFZ24N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF1010N, IRF1310N, IRF1405, IRF1407, IRF3205, IRF3710, IRFB3077, IRF8010, IRFB3077GPBF, IRFP3077PBF, IRFB260N, IRFB3207, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4310, IRFB4332, IRFB4410, IRFB4510, IRFB4510PbF, IRFB52N15D, IRF540, IRF540N, IRF640, IRFZ34, IRFZ34N, IRFZ44N, IRFZ46N, IRFZ48N, IRFB3006, IRFB3206, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3306G, IRFB3307, IRFB3607, IRFB3806, IRFB38N20D, IRFB41N15D, IRFB4229, IRFB4233, IRFB42N20D, IRFB4321, IRFB4510, IRFB4610, IRFB4615, IRFB4710, IRFB5615, IRFB59N10D, IRFB61N15D, IRFI4410ZG, IRFZ24, IRFZ40.

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