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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4310 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4310

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 7 m
  • Corrente contínua Dreno: 140 A
  • Carga Total da Gate: 250 nC
  • Dissipação de energia: 330 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB4310 e IRFB4310PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4310

O transistor IRFB4310 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRFB4110IRFB4310PbF, IRFB4110G, IRFB4310G, IRLB4030.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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