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quarta-feira, 12 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Darlington - PNP - TIP147 - Características e Substituição

Datasheet-Pinagem-transistor-darlington-PNP-TIP147-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Darlington TIP147 

  • Tipo: PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: -100 V
  • Tensão Coletor-Base: -100 V
  • Tensão Emissor-Base: -5 V
  • Corrente-Coletor: -10 A
  • Dissipação de Coletor: 125 W
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 1000
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-247


Par Complementar do Transistor: 

O Transistor PNP TIP147 é complementar do transistor PNP TIP142.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor TIP147

O transistor TIP147 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2SB1560, 2SB1560-O, 2SB1560-P, 2SB1560-Y, 2SB887, BDV64B, BDV64BG, BDV66B, BDV66C, BDV66D, TIP147G

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Datasheet - Pinagem - Transistor Darlington NPN TIP142 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-transistor-darlington-NPN-TIP142-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Darlington TIP142 

  • Tipo: NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 100 V
  • Tensão Coletor-Base: 100 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Coletor: 10 A
  • Dissipação de Coletor: 125 W
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 1000
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-247


Par Complementar do Transistor: 

O Transistor NPN TIP142 é complementar do transistor PNP TIP147.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor TIP142

O transistor TIP142 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2SD1197, 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P, 2SD2390-Y, BDV65B, BDV65BG, BDV67B, BDV67C, BDV67D, TIP142G.

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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Darlington NPN 2N7053 - Características e Substituição

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Pinagem-Pinout-Transistor-darlington-NPN-2N7053-Características-Substituições

Características Básicas do Transistor Darlington 2N7053

  • Tipo: NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 100 V
  • Tensão Coletor-Base: 100 V
  • Tensão Emissor-Base: 12 V
  • Corrente-Coletor: 1,5 A
  • Dissipação de Coletor: 1 W
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 1,000 a 20,000
  • Frequência de Transição: 200 MHz
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-226


Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N7053

O transistor 2N7053 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
2SD1930.

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Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar NPN 2N1893 - Características e Substituição

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Pinagem-Pinout-Transistor-Bipolar-NPN-2N1893-Características

Características Básicas do Transistor Bipolar 2N1893

  • Tipo: NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 80 V
  • Tensão Coletor-Base: 120 V
  • Tensão Emissor-Base: 7 V
  • Corrente-Coletor: 500 mA
  • Dissipação de Coletor: 800 mW
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 40 a 120
  • Frequência de transição: 70 MHz
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
  • Encapsulamento: TO-39


Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N1893

O transistor 2N1893 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N3020, 2N3498, 2N4031, 2N4239, 2N5320, 2N5335, 2N5336, 2N5338, 2N5681, 2N5682, 2SC503, 2SC510, BC300.

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Datasheet - Pinagem - Transistor Bipolar NPN 2SC1000 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar 2SC1000

  • Tipo: NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 50 V
  • Tensão Coletor-Base: 50 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Coletor: 0,1 A
  • Dissipação de Coletor: 0,2 W
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 200 700
  • Frequência de transição: 40 MHz
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +125 °C
  • Encapsulamento: TO-92

Datasheet Completo: 2SC1000

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SC1000

O transistor 2SC1000 pode ser substituídos pelos seguintes transistores:
BC5462SC18152SC24582SC2856, 2SC945, 2SC1844, 2SC1844.

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Datasheet Pinagem - Transistor Darlington NPN 2N7052 - Características e Substituição

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Pinagem-Pinout-Transistor-darlington-NPN-2N7052-Características-Substituições

Características Básicas do Transistor Darlington 2N7052

  • Tipo: NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 100 V
  • Tensão Coletor-Base: 100 V
  • Tensão Emissor-Base: 12 V
  • Corrente-Coletor: 1,5 A
  • Dissipação de Coletor: 625 mW
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 1,000 a 20,000
  • Frequência de Transição: 200 MHz
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92


Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N7052

O transistor 2N7052 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
2N7053, 2N7051, 2SD1930, 2SD1978, 2SD2206A.

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Datasheet - Pinagem - Transistor Bipolar PNP BC556C - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar BC556C 

  • Tipo: PNP
  • Tensão Coletor-Emissor: -65 V
  • Tensão Coletor-Base: -80 V
  • Tensão Emissor-Base: -6 V
  • Corrente-Coletor: -0,1 A
  • Dissipação de Coletor: 0,5 W
  • Ganho de Corrente CC (hfe): 420 a 800
  • Frequência de transição: 150 MHz
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-92


    Classificação do hFE

    O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor BC556 estará entre:

    Par Complementar do Transistor: 

    O transistor PNP BC556C é complementar do transistor NPN BC546C

    Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC556C

    O transistor BC556C pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
    2SA733, 2SA10162N4403A1015A7332N2907BC327BC880BC878BC490, 2SA1017, 2SA1082, 2N5821.

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    Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar NPN 2N1711 - Características e Substituição

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    Pinagem-Pinout-Transistor-Bipolar-NPN-2N1711-Características

    Características Básicas do Transistor Bipolar 2N1711

    • Tipo: NPN
    • Tensão Coletor-Emissor: 50 V
    • Tensão Coletor-Base: 75 V
    • Tensão Emissor-Base: 7 V
    • Corrente-Coletor: 500 mA
    • Dissipação de Coletor: 800 mW
    • Ganho de Corrente CC (hfe): 100 300
    • Frequência de transição mínima: 70 MHz
    • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
    • Encapsulamento: TO-39

    Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N1711

    O transistor 2N1711 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
    2N1613, 2N1890, 2N3019, 2N3107, 2N3499, 2N4032, 2N4033, 2SC503, 2SC503-GR, 2SC504, 2SC504-GR.

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    Datasheet - Pinagem - Transistor Bipolar PNP BC556B - Características e Substituição

    Pinagem-Pinout-transistor-PNP-BC556B-Características-Substituição

    Características Básicas do Transistor Bipolar BC556B 

    • Tipo: PNP
    • Tensão Coletor-Emissor: -65 V
    • Tensão Coletor-Base: -80 V
    • Tensão Emissor-Base: -6 V
    • Corrente-Coletor: -0,1 A
    • Dissipação de Coletor: 0,5 W
    • Ganho de Corrente CC (hfe): 200 a 450
    • Frequência de transição: 150 MHz
    • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
    • Encapsulamento: TO-92


      Classificação do hFE

      O intervalo de ganho de corrente dos transistores variam conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor BC556 estará entre:

      Par Complementar do Transistor: 

      O transistor PNP BC556B é complementar do transistor NPN BC546B

      Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC556B

      O transistor BC556B pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
      2SA733, 2SA10162N4403A1015A733,  2N2907BC327BC880BC878BC490, 2SA1017, 2SA1082, 2N5821.

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      Datasheet - Pinagem - Transistor Bipolar NPN BC549 - Características e Substituição

      Pinagem-Pinout-transistor-NPN-BC549-Características-Substituição

      Características Básicas do Transistor Bipolar BC549 

      • Tipo: NPN
      • Tensão Coletor-Emissor: 30 V
      • Tensão Coletor-Base: 30 V
      • Tensão Emissor-Base: 5 V
      • Corrente-Coletor: 100mA
      • Dissipação de Coletor: 500 mW
      • Ganho de Corrente CC (hfe): 110 a 800
      • Frequência de transição: 300 MHz
      • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
      • Encapsulamento: TO-92


        Classificação hFE

        O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor BC549 estará entre:

        Par Complementar do Transistor: 

        O transistor NPN BC549 é complementar do transistor PNP BC559

        Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC549

        O transistor BC549 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
        BC546BC547, BC548, BC550.

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