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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4110 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB4110-Características-Substituição
  

Características básicas do Transistor Mosfet IRFB4110

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
  • Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
  • Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 4,5 mΩ
  • Corrente Contínua Dreno: 180 A
  • Carga Total da Gate: 150 nC
  • Dissipação de energia: 370 W
  • Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 à +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRFB4110

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4110

O transistor IRFB4110 pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 
IRLB4030, IRFB4110G, IRFB4110Q.

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Forte abraço.

Deus vos Abençoe!
Shalom!

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