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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF833 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF833

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 450 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 2 Ω
  • Corrente contínua Dreno: 4 A
  • Carga Total da Gate: 30 nC
  • Dissipação de energia: 75 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF833

O transistor IRF833 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF830, IRF832IRF840, 7N65, 8N60, 9N65, 10N60, 10N65, 2SK1321, 2SK1562, 2SK1709, 2SK2328, 2SK2365, 2SK3456, 2SK3517‑01, 2SK3759, 2SK893, 5N50, 6N60, 6N65, 7N60, 8N65.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.!

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