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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF840 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF840

  • Tipo: Tipo-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 500 V
  • Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 0,85 
  • Corrente contínua Dreno (ID): 8 A
  • Carga Total da Gate (Qg): 60 nC
  • Dissipação de energia (PD): 125 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF840

O transistor IRF840 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
10N6512N6513N50IRF840AIRFB9N60AIRFB9N60APbFIRFB13N50A, IRF744, IRF840G, IRF840LC, IRFS841, IRFB17N50L, IRFS840, STP8NA50, 2SK554, 2SK1158, 2SK1566, 2SK1567, 2SK1805, 2SK2116, 2SK2117, 2SK2118, 2SK2175, YTA840.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.