Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF840
Características básica do Transistor Mosfet IRF840
- Tipo: NPN
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0,850 Ohm
- Corrente contínua Dreno: 8 A
- Carga Total da Gate: 63 nC
- Dissipação de energia: 125 W
- Encapsulamento: TO-220AB