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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF840A - Características e Substituição

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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF840-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF840A

  • Tipo: Tipo-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,85 
  • Corrente contínua Dreno: 8 A
  • Carga Total da Gate: 38 nC
  • Dissipação de energia: 125 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB
Datasheet completo: IRF840A

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF840A

O transistor IRF840A pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFB9N60AIRFB9N60APbFIRFB13N50A, IRF840LC, IRFB17N50L, IRFB9N60A.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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