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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF640
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 200 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 0,180 Ohm
- Corrente contínua Dreno (ID): 18 A
- Carga Total da Gate (Qg): 70 nC
- Dissipação de energia (PD): 125 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF640
O transistor IRF640 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
BUK456-200A, BUK456-200B, IRFB5620,
IRFB5620PbF,
YTA640, IRF641, IRF642, IRFB4620, 2SK740, STP19NB20, YTA640, BUK455-200A, BUZ30A, MTP20N20E, RFP15N15, 2SK891, 18N25, 18N40, 22N20.
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