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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet - NPN - IRF640 - Características

Pinagem - Pinout - Transistor Mosfet IRF640

Características básica do Transistor Mosfet IRF640
  • Tipo: NPN
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência no estado ativo Dreno-Source, máxima: 0,180 Ohm
  • Corrente contínua Dreno: 18 A
  • Carga Total da Gate: 70 nC
  • Dissipação de energia: 125 W
  • Encapsulamento: TO-220AB


Datasheet completo IRF640


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Forte abraço.

Deus vos Abençoe

Shalom

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