Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 9N65 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 9N65

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 650 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,1 Ω
• Corrente contínua Dreno: 9A
• Carga Total da Gate: 48 nC
• Dissipação de energia: 167 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220 / TO-220F

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 9N65

O transistor Mosfet 9N65 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

10N65, 12N65, 12N70, 15N65.

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