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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF830 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF830

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 500 V
  • Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 1,5 Ω
  • Corrente contínua Dreno (ID): 4,5 A
  • Carga Total da Gate (Qg): 30 nC
  • Dissipação de energia (PD): 75 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF830

O transistor IRF830 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF840MTP4N507N65, 8N60, 9N65, 10N60, 10N65, 2SK1563, 2SK1709, 2SK3456, 2SK3519‑01, 2SK3887‑01, 2SK894, BUK455-500B, BUZ41A, BUZ42, IRF734, IRF832, IRFI830G, BUZ215, RFP6N45, RFP6N50, SSP6N55­­­.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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