Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 10N60 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 10N60

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 600 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,73 Ω

• Corrente contínua Dreno: 9,5 A

• Carga Total da Gate: 57 nC

• Dissipação de energia: 156 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 à +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 10N60

O transistor Mosfet 10N60 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

10N65, 12N65, 12N70, 15N60, 15N65, 2SK3450-01, 2SK3686-01.

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