Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF3205 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3205

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 8,0mΩ
• Corrente contínua Dreno: 110 A
• Carga Total da Gate: 146 nC
• Dissipação de energia: 200 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRF3205 e IRF3205PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3205

O transistor IRF3205 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF1405, IRF1407, IRF1607, IRF2805, IRF3205PbF, IRFB4110, IRFB4310, IRF1405Z, IRFB3206, IRFB3256, IRFB3307, IRFB4110G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB7540.

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