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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1405
- Tipo: Canal-N
- Tensão de Ruptura Dreno-Source: 55 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 4.6 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 169 A
- Carga Total da Gate: 170 nC
- Dissipação de energia: 330 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1405
O transistor IRF1405 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF2907Z,
IRF2907ZPbF,
IRFB3077,
IRFB3077GPBF,
IRFP3077PBF,
IRFB3207,
IRFB4110, IRF1405Z, IRF2805, IRF2907Z, IRFB3006, IRFB3006G, IRFB3206,
IRFB3206G, IRFB3207Z, IRFB3207ZG, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3306G,
IRFB4110, IRFB4110G.
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