Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF1405 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF1405-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1405

• Tipo: Canal-N
• Tensão de Ruptura Dreno-Source: 55 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 5,3 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 169 A
• Carga Total da Gate: 170 nC
• Dissipação de energia: 330 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF1405

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1405

O transistor IRF1405 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF2907Z, IRF2907ZPbF, IRFB3077, IRFB3077GPBF, IRFP3077PBF, IRFB3207, IRFB4110, IRF1405Z, IRF2805, IRF2907Z, IRFB3006, IRFB3006G, IRFB3206, IRFB3206G, IRFB3207Z, IRFB3207ZG, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3306G, IRFB4110, IRFB4110G.

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