FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB3077 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB3077-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB3077

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de Ruptura Dreno-Source: 75 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 3,3 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 210 A
  • Carga Total da Gate: 160 nC
  • Dissipação de energia: 370 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRFB3077

Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB3077 e IRFB3077PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB3077

O transistor IRFB3077 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

Nenhum comentário:

Postar um comentário