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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF2907ZPbF - Características e Substituição

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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N- IRF2907ZPbF-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet  IRF2907ZPbF

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 75 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 4,5 m
  • Corrente contínua Dreno: 160 A
  • Carga Total da Gate: 270 nC
  • Dissipação de energia: 300 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRF2907Z IRF2907ZPbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF2907ZPbF

O transistor IRF2907ZPbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF2907Z, IRFB3077, IRFB3077PbF, IRFB3077GPbF, IRFB3207, IRFB4110, IRFB4110G, IRLB4030, IRLB4030PBF.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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