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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4127PbF - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB4127PbF-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4127PbF

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 20 m
  • Corrente contínua Dreno: 76 A
  • Carga Total da Gate: 150 nC
  • Dissipação de energia: 375 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB4127 e IRFB4127PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4127PbF

O transistor IRFB4127PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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