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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF540N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 44 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 33 A
- Carga Total da Gate: 71 nC
- Dissipação de energia: 130 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF540
O transistor Mosfet IRF540 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF1310N,
IRF3415,
IRF3710,
IRFB4110,
IRFB4115,
IRFB4127,
IRFB4127PbF,
IRF8010,
IRFB260N,
IRFB4227,
IRFB4310,
IRFB4332,
IRFB4410,
IRFB4510,
IRFB4510PbF,
IRFB52N15D, IRF3415, IRF3710Z, IRF3710ZG, IRFB4110G, IRFB4115, IRFB4115G, IRFB4233,
IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z,
IRFB4410ZG, IRFB4510, IRFB4510G, IRFB4610, IRFB4615, IRFB4710, IRFB5615,
IRFB59N10D, IRFB61N15D.
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