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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF3710 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3710

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 0,023Ω
  • Corrente contínua Dreno (ID): 57 A
  • Carga Total da Gate (Qg): 130 nC
  • Dissipação de energia (PD): 200 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3710

O transistor IRF3710 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF8010, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbFIRFB4310IRFB4410IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4710.

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Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

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