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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3710
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 0,023Ω
- Corrente contínua Dreno (ID): 57 A
- Carga Total da Gate (Qg): 130 nC
- Dissipação de energia (PD): 200 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3710
O transistor IRF3710 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF8010,
IRFB4110,
IRFB4115,
IRFB4127,
IRFB4127PbF, IRFB4310, IRFB4410, IRFB4110G, IRFB4115G,
IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z,
IRFB4410ZG, IRFB4710.
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