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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF8010
- Tipo: Canal-N
- Tensão de Ruptura Dreno-Source: 40 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 12 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 162 A
- Carga Total da Gate: 120 nC
- Dissipação de energia: 260 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 à +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF8010
O transistor IRF8010pode ser substituídos pelos seguintes transistores:
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