Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF8010 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF8010-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF8010

• Tipo: Canal-N
• Tensão de Ruptura Dreno-Source: 40 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 12 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 162 A
• Carga Total da Gate: 120 nC
• Dissipação de energia: 260 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 à +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF8010

Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no link abaixo!

Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF8010

O transistor IRF8010pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

IRFB4310, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4321, IRFB4321G.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso Blog! Clique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço.

Deus vos Abençoe!

Shalom!