FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF8010 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF8010-Características-Substituição-fvml
Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF8010-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF8010

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de Ruptura Dreno-Source: 40 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 12 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 162 A
  • Carga Total da Gate: 120 nC
  • Dissipação de energia: 260 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 à +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF8010

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF8010

O transistor IRF8010pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 
IRFB4310, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4321, IRFB4321G.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço.

Deus vos Abençoe!
Shalom!

Nenhum comentário:

Postar um comentário