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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P UTT80P60 - Características e Substituições

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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-P-UTT80P60-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet UTT80P60

  • Tipo: Canal-P
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: -60 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,023Ω ou 23 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: -80A
  • Carga Total da Gate: 173 nC
  • Dissipação de energia: 313 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220

Substitutos e Equivalentes para o Transistor UTT80P60

O transistor Mosfet UTT80P60 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

UTT120P062SJ607, HSP80P10, IXTP120P065T.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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