Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P 2SJ607 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 2SJ607

• Tipo: Canal-P
• Tensão de ruptura Dreno-Source: -60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,011Ω ou 11 mΩ
• Corrente contínua Dreno: -83A
• Carga Total da Gate: 188 nC
• Dissipação de energia: 160 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SJ607

O transistor Mosfet 2SJ607 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

UTT120P06, IXTP120P065T.

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