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Características Básicas do Transistor Mosfet 80N08
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 80 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 12 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 80A
- Carga Total da Gate: 180 nC
- Dissipação de energia: 300 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 80N08
O transistor Mosfet 80N08 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF100B201, IRF8010, IRFB4110, IRFB4115, JCS160N08I, PTP90N08.
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