Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF100B201 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF100B201

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 4,2 mΩ

• Corrente Contínua Dreno: 192A

• Carga Total da Gate: 170 nC

• Dissipação de energia: 441 W

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 à +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF100B201

O transistor IRF100B201 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IIRF100B201, IRF100S201.

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