Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF1310N - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF1310N-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1310N

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 36 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 42 A
• Carga Total da Gate: 110 nC
• Dissipação de energia: 160 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF1310N

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1310N

O transistor Mosfet IRF1310N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF3710, IRF8010, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4310, IRFB4332, IRFB4410, IRFB52N15D, IRF3710Z, IRF3710ZG, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4227, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4610, IRFB4710, IRFB59N10D, IRFB61N15D.

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Deus vos Abençoe!

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