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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF1310N-Características-Substituição |
Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1310N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 36 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 42 A
- Carga Total da Gate: 110 nC
- Dissipação de energia: 160 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1310N
O transistor Mosfet IRF1310N pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF3710,
IRF8010,
IRFB4110,
IRFB4115,
IRFB4127,
IRFB4127PbF,
IRFB4227,
IRFB4310,
IRFB4332,
IRFB4410,
IRFB52N15D, IRF3710Z, IRF3710ZG, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4227, IRFB4310G,
IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG,
IRFB4610, IRFB4710, IRFB59N10D, IRFB61N15D.
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