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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1310N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 36 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 42 A
- Carga Total da Gate: 110 nC
- Dissipação de energia: 160 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
Datasheet completo IRF1310N
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1310N
O transistor Mosfet IRF1310N pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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