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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF1310N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1310N

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 36 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 42 A
  • Carga Total da Gate: 110 nC
  • Dissipação de energia: 160 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1310N

O transistor Mosfet IRF1310N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF3710, IRF8010, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4310, IRFB4332, IRFB4410, IRFB52N15D, IRF3710Z, IRF3710ZG, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4227, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4610, IRFB4710, IRFB59N10D, IRFB61N15D.

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Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

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