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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFZ48N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de Ruptura Dreno-Source: 55 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,016Ω ou 16mΩ
- Corrente contínua Dreno: 64 A
- Carga Total da Gate: 85 nC
- Dissipação de energia: 140 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFZ48N
O transistor IRFZ48N pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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