FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar NPN FJP5200R - Características e Substituição

Datasheet-Pinagem-Pinout-transistor-npn-FJP5200R-Características-Substituição-fvml
Pinagem-Pinout-transistor-npn-FJP5200R-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Bipolar FJP5200R

  • Tipo: NPN
  • Tensão Coletor-Emissor: 230 V
  • Tensão Coletor-Base: 230 V
  • Tensão Emissor-Base: 5 V
  • Corrente-Coletor: 15 A
  • Dissipação de Coletor: 100 W
  • Ganho de Corrente CC (hfe)55 a 110
  • Frequência de transição: 30 MHz
  • Range de temperatura da junção de operação: -50 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220

Datasheet Completo: FJP5200R

Classificação hFE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. A classificação do intervalo CC (hfe) do transistor FJP5200 estará entre: 

Par Complementar do Transistor: 

O Transistor NPN FJP5200R é complementar do transistor PNP FJP1943R

Substitutos e Equivalentes para o Transistor FJP5200R

O transistor FJP5200R pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

Nenhum comentário:

Postar um comentário