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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF1010E-Características-Substituição |
Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1010E
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
- Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
- Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 12mΩ
- Corrente Contínua Dreno: 84A
- Carga Total da Gate: 130 nC
- Dissipação de energia: 200 W
- Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1010E
O transistor IRF1010E pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF1407,
IRF1607,
IRF2807Z, IRF2907Z, IRF2907ZPbF, IRF3808,
IRFB3077,
IRFB3077GPBF,
IRFP3077PBF,
IRFB3207,
IRFB4110,
IRFB4115,
IRFB4310,
IRFB4410, IRFB3006, IRFB3006G, IRFB3206, IRFB3206G, IRFB3207, IRFB3207Z,
IRFB3207ZG, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3306G, IRFB3307, IRFB3307Z, IRFB3307ZG,
IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4410Z,
IRFB4410ZG.
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