FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF2807Z - Características e Substituição

Datasheet-Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF2807Z-Características-Substituição-fvml
Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF2807Z-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF2807Z

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 75 V
  • Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
  • Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 9,4mΩ
  • Corrente Contínua Dreno: 75 A
  • Carga Total da Gate: 110 nC
  • Dissipação de energia: 170 W
  • Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF2807Z

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF2807Z

O transistor IRF2807Z pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF1407IRF1607IRF2907ZIRF2907ZPbFIRF3808IRFB3077IRFB3077GPBFIRFP3077PBFIRFB3207, IRFB4110IRFB4310IRFB4410IRFB3207Z, IRFB3207ZG, IRFB3307, IRFB3307Z, IRFB4110G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4410Z, IRFB4410ZG.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário