Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 60N06 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 60N06

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 18 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 60A
• Carga Total da Gate: 60 nC
• Dissipação de energia: 120 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 60N06

O transistor Mosfet 60N06 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

75N75, 80N08, IRF1010E, IRF1018E, IRF1407, IRF1607, IRF3808, 2SK2826, 2SK3228, 2SK3354, 2SK3418, 2SK3479, 2SK3510, 11N10, 70N06.

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