Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 75N75 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet 75N75

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 75 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 15 mΩ

• Corrente Contínua Dreno: 75 A

• Carga Total da Gate: 54 nC

• Dissipação de energia: 220 W

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 75N75

O transistor 75N75 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF1407, IRF1607, IRF3808, IRFB3077, IRFB3077PbF, IRFB3207, IRFB4110, IRFB7730, IRLB4030.

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