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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF1018E-Características-Substituição |
Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1018E
- Tipo: Canal-N
- Tensão de Ruptura Dreno-Source: 60 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 8,4 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 79 A
- Carga Total da Gate: 46 nC
- Dissipação de energia: 110 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 à +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1018E
O transistor IRF1018E pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2SK3270‑01, IRFB7545, IRFB7740, IRFP3207Z, UTT150N06.
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