Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF1018E - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1018E

• Tipo: Canal-N
• Tensão de Ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 8,4 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 79 A
• Carga Total da Gate: 46 nC
• Dissipação de energia: 110 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 à +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1018E

O transistor IRF1018E pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2SK3270‑01, IRFB7545, IRFB7740, IRFP3207Z, UTT150N06.

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