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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 50N06 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet 50N06

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,023Ω ou 23 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 50A
  • Carga Total da Gate: 40 nC
  • Dissipação de energia: 130 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220, TO220F

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 50N06

O transistor Mosfet 50N06 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

80N0680N08IRF1010EIRF100B201IRF1407IRF2807ZIRF2907ZIRF3808IRF8010IRFB4110IRFB4115IRFB4310IRFB4310PbF, IRFB4228, IRFB4228PBF, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4321PBF.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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