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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRLZ34N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRLZ34N

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 16 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 35 m
  • Corrente contínua Dreno: 30A
  • Carga Total da Gate: 25 nC
  • Dissipação de energia: 68 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRLZ34N

O transistor IRLZ34N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRF1010N, IRF1010E, IRF1018E, IRF1405, IRF1407, IRF1607, IRF2805, IRF2807Z, IRF2805, IRF3805, IRFB3006, IRFB3077, IRF3205, IRFB3207, IRFB3607, IRF3710, IRF3808, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4310, IRFB4332, IRFB4410, IRFB4510, IRFB4510PbF, IRFB52N15D, IRF540, IRF8010, IRFB3306, IRFZ34, IRFZ44, IRFZ44N, IRFZ46N, IRFZ48N, IRLZ44N, IRF2807, IRF3007, IRF3305, IRFB3206, IRFB3256, IRFB3307, IRFB3806, IRFB4321, IRFB4510, IRFB4610, IRFB4710, IRFB59N10D, IRFB61N15D, IRFZ40, IRFZ48, IRL2505, IRL2910, IRL3705N, IRLB3036, IRLB4030.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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