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Características Básicas do Transistor Mosfet IRLB8721
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 30 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 8,7 mΩ
- Corrente contínua Dreno (ID): 62 A
- Carga Total da Gate (Qg): 22 nC
- Dissipação de energia (PD): 65 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220C
Confira a lista completa de equivalência e substituição de
Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRLB8721
O transistor IRLB8721 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF1010E, IRF1010N, IRF1018E, IRF1404, IRF1405, IRF1407, IRF1503, IRF1607, IRF2804, IRF2805, IRF2907Z, IRF2907ZPbF, IRF3805, IRFB3207, IRFB3306, IRFB4110, IRFB4310, IRFB7446, IRL3713, IRLB3034, IRF2204, IRF2903Z, IRF2907Z, IRF3205, IRF3305, IRF3703, IRF3709Z, IRF3805, IRF3808, IRF4104, IRFB3004, IRFB3006, IRFB3077, IRFB3206, IRFB3256, IRFB3307, IRFB7430, IRFB7434, IRFB7437, IRFB7440, IRL1404, IRL7833, IRL8113, IRLB3813, IRLB8743, IRLB8748.
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