Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF1503 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1503

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 30 V
• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 3,3mΩ
• Corrente Contínua Dreno: 240 A
• Carga Total da Gate: 200 nC
• Dissipação de energia: 330 W
• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220C

Datasheet completo IRF1503

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1503

O transistor IRF1503 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF1405, IRF1607, IRF3205, IRFB3004, IRLB3034, IRFB3004G, IRFB3006, IRFB3006G, IRFB7430.

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