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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF820 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF820

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 3 Ω
  • Corrente contínua Dreno: 3 A
  • Carga Total da Gate: 35 nC
  • Dissipação de energia: 75 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF820

O transistor IRF820 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
7N65, 8N60, 9N65, 10N60, 10N6511N50L12N65, 12N70, IRF830, IRF832, 2SK1008‑01, 2SK1010‑01, 2SK1156, 2SK1246, 2SK1322, 2SK1402, 2SK1608, 2SK1632, 2SK2138, 2SK2402, 2SK2661, 3N50, 3N60, 4N60, 5N60, 6N60, 12N60.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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