Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 11N50L - TA3 - Características e Substituições

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-11N50L-TA3-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet 11N50L

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ω

• Corrente contínua Dreno: 11 A

• Carga Total da Gate: 55 nC

• Dissipação de energia: 195 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220

Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no link abaixo!

Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 11N50L

O transistor Mosfet 11N50L pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2SK3504, 2SK3504‑01, 2SK3682‑01, 12N50, 18N50, IRF13N50, IRFB13N50A, IRFB16N50K, IRFB17N50L, IRFB17N60K, IRFB18N50K, IRFB20N50K.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso Blog! Clique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço.

Deus vos Abençoe!

Shalom!