Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB3004 - Características e Substituição

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Características básicas do Transistor Mosfet IRFB3004

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 40 V
• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 3,0mΩ
• Corrente Contínua Dreno: 340 A
• Carga Total da Gate: 160 nC
• Dissipação de energia: 380 W
• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 à +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRFB3004

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB3004

O transistor IRFB3004 pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

IRFB3004G.

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