Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF822FI - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF822FI

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 4 Ω

• Corrente contínua Dreno: 1,9 A

• Carga Total da Gate: 35 nC

• Dissipação de energia: 35 W

• Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C

• Encapsulamento: ISOWATT220

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF822FI

O transistor IRF822FI pode ser substituído pelos seguintes transistores:

IRF820FI, IRF832FI, IRF842FI, MTP3N60FI, STP3N60FI, STP5N80FI.

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