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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF820FI
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 3 Ω
- Corrente contínua Dreno: 2,2 A
- Carga Total da Gate: 35 nC
- Dissipação de energia: 35 W
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
- Encapsulamento: ISOWATT220
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF820FI
O transistor IRF820FI pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF832FI, IRF842FI, MTP3N60FI, STP3N60FI, STP5N80FI.
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