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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-P UTT50P06 - Características e Substituições

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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-P-UTT50P06-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet UTT50P06

  • Tipo: Canal-P
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: -60 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,015Ω ou 15 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 50A
  • Carga Total da Gate: 165 nC
  • Dissipação de energia: 113 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220


Substitutos e Equivalentes para o Transistor UTT50P06

O transistor Mosfet UTT50P06 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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