|
| Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRL540N-Características-Substituição |
Características Básicas do Transistor Mosfet IRL540N
- Tipo: Tipo-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 16 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 44 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 36 A
- Carga Total da Gate: 74 nC
- Dissipação de energia: 140 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
-
Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de
Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
Embarcados! Clique no link abaixo!
Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRL540N
O transistor IRL540N pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF1310N, IRF3415, IRF3710, IRF8010, IRFB260N, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4227, IRFB4310, IRFB4332, IRFB4410, IRFB4510, IRFB4510PbF, IRFB52N15D, IRF3710Z, IRF3710ZG, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4233, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4610, IRFB4710, IRFB52N15D, IRFB59N10D, IRFB61N15D, IRL2910, IRLB4030.
Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de
mensagem abaixo!
Copiar Chave:
0fed5250-57c5-4bc6-9095-e62f7d812416
Nenhum comentário:
Postar um comentário