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Características Básicas do Transistor Mosfet IRL540N
- Tipo: Tipo-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 16 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 44 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 36 A
- Carga Total da Gate: 74 nC
- Dissipação de energia: 140 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
-
Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRL540N
IRL540N pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF1310N,
IRF3415,
IRF3710,
IRF8010,
IRFB260N,
IRFB4110,
IRFB4115,
IRFB4127,
IRFB4127PbF,
IRFB4227, IRFB4310, IRFB4332,
IRFB4410,
IRFB4510,
IRFB4510PbF,
IRFB52N15D,
IRF3710Z, IRF3710ZG, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4233, IRFB4310G, IRFB4310Z,
IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4610, IRFB4710,
IRFB52N15D, IRFB59N10D, IRFB61N15D, IRL2910, IRLB4030.
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