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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF721
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 350 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,8 Ω
- Corrente contínua Dreno: 3,3 A
- Carga Total da Gate: 25 nC
- Dissipação de energia: 50 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF721
O transistor IRF721 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRF720,
IRF730,
IRF730A,
IRF730B, IRF740,
IRF740A,
IRF830,
IRF840,
IRF840A,
IRFBC40,
IRFBC40PbF, 13N50, IRFB13N50A, IRF740B, IRF740LC, IRF830A,
IRF830B, IRF840LC, IRFB17N50L, IRFB9N60A, IRFB9N65A, IRFBC40A.
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