Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF460 - Características e Substituições

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF460

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,27Ω ou 270mΩ 

• Corrente contínua Dreno: 21 A

• Carga Total da Gate: 190 nC

• Dissipação de energia: 300 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-204AA

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF460

O transistor Mosfet IRF460 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IXFM21N50, IXFM24N50, IXTM21N50, IXTM24N50, MTM24N50, WVM21N50.

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