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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N 11N50L - TF3 - Características e Substituições

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Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-11N50L-TF3-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet 11N50L

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ω
  • Corrente contínua Dreno: 11 A
  • Carga Total da Gate: 55 nC
  • Dissipação de energia: 147 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220F


Substitutos e Equivalentes para o Transistor 11N50L

O transistor Mosfet 11N50L pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
12N50, FIR20N65AFG, FQPF13N50C, HF25N50, HM20N60F, MSF16N50, MSF18N50.

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Forte abraço.
Deus vos Abençoe!
Shalom!

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