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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF740 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF740

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ohm
  • Corrente contínua Dreno: 10 A
  • Carga Total da Gate: 63 nC
  • Dissipação de energia: 125 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
  • Encapsulamento: TO-220

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF740

O transistor IRF740 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF740A, IRFB13N50A, IRF740LC, IRF740S, IRFB17N50L, 2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, MTP10N40E, RFP7N35, RFP7NA40.

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Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

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