Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF740 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF740

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,550 Ohm
• Corrente contínua Dreno: 10 A
• Carga Total da Gate: 63 nC
• Dissipação de energia: 125 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220

Datasheet completo IRF740

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF740

O transistor IRF740 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

IRF740A, IRF740LC, IRF740S, IRFB13N50A, IRFB17N50L, 2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A, MTP10N40E, RFP7N35, RFP7NA40.

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