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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF730B
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1 Ω
- Corrente contínua Dreno: 6 A
- Carga Total da Gate: 18 nC
- Dissipação de energia: 104 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF730B
O transistor IRF730B pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
9N65,
13N50,
IRF740A,
IRF840A,
IRFB9N60A,
IRFB9N60APbF, IRFB13N50A, BUZ91A, IRF730B, IRF740B,
IRF740LC, IRF840LC, IRFB17N50L, IRFB9N60A, IRFB9N65A.
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