Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF3710 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRF3710-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRF3710

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,023Ω
• Corrente contínua Dreno: 57 A
• Carga Total da Gate: 86,7 nC
• Dissipação de energia: 200 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRF3710

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF3710

O transistor IRF3710 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF8010, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4127, IRFB4127PbF, IRFB4310, IRFB4410, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4321, IRFB4321G, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4710.

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