FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N BUK456-100A - Características e Substituições

Datasheet-Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-BUK456-100A-Características-Substituição-fvml
Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-BUK456-100A-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet BUK456-100A

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source:  0,057 Ω ou 57 mΩ
  • Corrente contínua Dreno: 34A
  • Dissipação de energia: 150 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-220AB


Substitutos e Equivalentes para o Transistor BUK456-100A

O transistor Mosfet BUK456-100A pode ser substituído pelos seguintes transistores:

40N20, IRF1310N, IRF260N, IRF3415, IRF3710, IRF8010, IRFB4110, IRFB4410, 2SK3586‑01, 2SK3590‑01, 2SK3644‑01, 2SK3920‑01, 80N10, 110N10, BUK7510‑100B, BUK7515‑100A, BUK7520‑100A, IRF4410A, IRFB4310.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!


Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário