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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP250N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 200 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 75mΩ
- Corrente contínua Dreno (ID): 30 A
- Carga Total da Gate (Qg): 123 nC
- Dissipação de energia (PD): 214 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-247AC
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP250N
O transistor IRFP250N pode ser substituído pelos seguintes transistores:
C90N20D,
IRFP260,
IRFP260N,
IRFP4229,
IRFP4229PBF,
IRFP4332,
IRFP4332PbF,
IRFP4668,
IRFP4668Pbf,
IRFP90N20D, IRFP4227, IRFP4232, IRFP4242, IRFP4768.
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