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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP250N
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 75mΩ
- Corrente contínua Dreno: 30 A
- Carga Total da Gate: 123 nC
- Dissipação de energia: 214 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-247AC
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP250N
O transistor IRFP250N pode ser substituído pelos seguintes transistores: C90N20D, IRFP260, IRFP260N, IRFP4229, IRFP4229PBF, IRFP4332, IRFP4332PbF, IRFP4668, IRFP4668Pbf, IRFP90N20D, IRFP4227, IRFP4232, IRFP4242, IRFP4768.
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